RT Conference Proceedings
T1 Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET  para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia
A1 Pacher Vega, Julio Cesar
A1 Renault, Alfredo
A1 Comparatore Franco, Leonardo David
A2 Universidad Nacional de Asunción - Facultad de Ingeniería
AB El presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC-MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto.
YR 2016
FD 2016
LK http://hdl.handle.net/20.500.14066/3218
UL http://hdl.handle.net/20.500.14066/3218
LA spa
NO CONACYT – Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología
DS MINDS@UW
RD 19-abr-2024