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Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia

dc.contributor.authorPacher Vega, Julio Cesar 
dc.contributor.authorRenault, Alfredo 
dc.contributor.authorComparatore Franco, Leonardo David 
dc.contributor.otherUniversidad Nacional de Asunción - Facultad de Ingenieríaes
dc.date.accessioned2022-04-23T22:05:34Z
dc.date.available2022-04-23T22:05:34Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.14066/3218
dc.description.abstractEl presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC- MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto.es
dc.description.sponsorshipCONACYT – Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologíaes
dc.language.isospaes
dc.subject.classification5 Energíaes
dc.subject.otherPUENTE-Hes
dc.subject.otherTECNOLOGIA SIC-MOSFETes
dc.subject.otherENERGIA ELECTRICAes
dc.titleAnálisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potenciaes
dc.typeconference posteres
dc.conference.date2016
dc.conference.placeAsunción, PYes
dc.conference.titleSimposio de Ciencia, Tecnologías, Innovación y Educaciónes
dc.description.fundingtextPROCIENCIAes
dc.relation.projectCONACYT14-INV-096es
dc.rights.accessRightsopen accesses
dc.subject.ocdeINGENIERIAes


Ficheros en el ítem

Nombre:
14-inv-096poster.pdf
Tamaño:
1.052Mb
Formato:
PDF

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

  • Afiches y pósters
    La colección integra afiches y pósters relacionados con proyectos de investigación y programas de vinculación de científicos y tecnólogos apoyados por el Programa PROCIENCIA.

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