Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia

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URI
http://hdl.handle.net/20.500.14066/3218
Metadata
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Author(s)
Pacher Vega, Julio CésarCONACYT Authority; Renault, AlfredoCONACYT Authority; Comparatore Franco, Leonardo DavidCONACYT Authority
Date of publishing
2016
Type of publication
conference poster
Subject(s)
Abstract
El presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC- MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto.
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