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dc.contributor.authorPacher Vega, Julio César 
dc.contributor.authorRodas Benítez, Jorge Esteban 
dc.contributor.authorGregor Recalde, Raúl Igmar 
dc.contributor.authorRivera Abarca, Marco Esteban
dc.contributor.authorRenault López, Alfredo 
dc.contributor.authorComparatore Franco, Leonardo David 
dc.contributor.otherUniversidad Nacional de Asunción. Facultad de Ingenieríaes
dc.date.accessioned2022-04-24T17:17:03Z
dc.date.available2022-04-24T17:17:03Z
dc.date.issued2018-02-10
dc.identifier.citationPacher Vega, J. C., Rodas Benitez, J. E., Gregor Recalde, R. I., Rivera, M., Renault Lopez, A., & Comparatore Franco, L. D. (2018). Efficiency analysis of a modular H-bridge based on SiC MOSFET. International Journal of Electronics Letters, 7(1), 59-67. https://doi.org/10.1080/21681724.2018.1426111en
dc.identifier.issn2168-1724es
dc.identifier.otherhttps://doi.org/10.1080/21681724.2018.1426111es
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.14066/3401
dc.descriptionContact: Julio Cesar Pacher Vega; jpacher@ing.una.py. Laboratory of Power and Control Systems, Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional de Asunción, Paraguay. San Lorenzo, Paraguay.en
dc.description.abstractSeveral new high-performance power semiconductors have appeared during the last decade, being the silicon carbide (SiC) MOSFETs the most promising to be commercialised as an alternative of Si IGBT. This paper presents the performance analysis of a controller for a full H-bridge based on SiC MOSFET technology used for high frequency and medium voltage applications. The switching performance of a modular H-bridge is analysed and the efficiency/losses and temperature dissipation are experimentally measured in order to help engineers to design and develop circuits using this power semiconductor. A comparison between SiC MOSFET and Si MOSFET is also presented.es
dc.description.sponsorshipConsejo Nacional de Ciencia y Tecnologíaes
dc.language.isoenges
dc.subject.classification5. Energíaes
dc.subject.classification5.2. Procesos diseñados para incrementar la eficiencia en la producción y distribución de energíaes
dc.subject.otherEfficiency analysisen
dc.subject.otherModular H-bridgeen
dc.subject.otherSiC-MOSFETen
dc.titleEfficiency analysis of a modular H-bridge based on SiC MOSFETes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones
dc.identifier.doi10.1080/21681724.2018.1426111es
dc.description.fundingtextPrograma Paraguayo para el Desarrollo de la Ciencia y Tecnología. Proyectos de investigación y desarrolloes
dc.identifier.essn2168-1732es
dc.issue.number1es
dc.journal.titleInternational Journal of Electronics Letterses
dc.page.initial59es
dc.page.final67es
dc.relation.projectCONACYT14-INV-096es
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccesses
dc.rights.copyright© 2018 Informa UK Limited, trading as Taylor & Francis Group.es
dc.volume.number7es


Ficheros en el ítem

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  • Artículos científicos
    La colección comprende artículos científicos, revisiones y artículos de conferencia que son resultados de actividades científicas y de innovación financiadas por los programas PROCIENCIA y PROINNOVA.

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