| dc.contributor.author | Pacher Vega, Julio César | |
| dc.contributor.author | Renault López, Alfredo | |
| dc.contributor.author | Comparatore Franco, Leonardo David | |
| dc.contributor.other | Universidad Nacional de Asunción - Facultad de Ingeniería | es |
| dc.date.accessioned | 2022-04-23T22:05:34Z | |
| dc.date.available | 2022-04-23T22:05:34Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.14066/3218 | |
| dc.description.abstract | El presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC-
MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto. | es |
| dc.description.sponsorship | CONACYT – Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología | es |
| dc.language.iso | spa | es |
| dc.subject.classification | 5 Energía | es |
| dc.subject.other | PUENTE-H | es |
| dc.subject.other | TECNOLOGIA SIC-MOSFET | es |
| dc.subject.other | ENERGIA ELECTRICA | es |
| dc.title | Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia | es |
| dc.type | conference poster | es |
| dc.conference.date | 2016 | |
| dc.conference.place | Asunción, PY | es |
| dc.conference.title | Simposio de Ciencia, Tecnologías, Innovación y Educación | es |
| dc.description.fundingtext | PROCIENCIA | es |
| dc.relation.projectCONACYT | 14-INV-096 | es |
| dc.rights.accessRights | open access | es |
| dc.subject.ocde | INGENIERIA | es |
